參考博客:
Flash、RAM、ROM的區(qū)別 - 程序員大本營(yíng)
RAM、ROM和FLASH三種常見(jiàn)存儲(chǔ)器類型介紹
RAM、RAM和RAM的區(qū)別解讀 - 百度文庫(kù)
內(nèi)存
RAM中文名稱,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 之所以稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是因?yàn)楫?dāng)數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭隦AM時(shí),所花費(fèi)的時(shí)間與信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o(wú)關(guān)。
特點(diǎn):速度最快,斷電數(shù)據(jù)丟失,容量小,價(jià)格昂貴。
RAM分為兩類:SRAM和DRAM。
具體包括SRAM、DRAM、SDRAM、、和。
SRAM是靜態(tài)(S指)RAM。 靜態(tài)是指不需要刷新電路,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 SRAM的速度非常快,是目前讀寫(xiě)速度最快的存儲(chǔ)設(shè)備。
DRAM是動(dòng)態(tài)RAM。 動(dòng)態(tài)意味著數(shù)據(jù)需要每隔一段時(shí)間刷新一次。 它可以保存數(shù)據(jù),速度比SRAM慢,但仍然比任何ROM都快。
SDRAM是同步(S指)DRAM。 同步是指顯存的工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部命令發(fā)送和數(shù)據(jù)傳輸都是基于它的。
DDR、DDR2、DDR3都屬于SDRAM。 DDR的意思是三指同系列的三代,速度更快,容量更大,幀率更低。 現(xiàn)在發(fā)布了DDR4,也是同一系列。
只讀存儲(chǔ)器
ROM的中文名稱是Read-Only,只讀存儲(chǔ)器。 正常使用時(shí)其上的數(shù)據(jù)只能讀取不能寫(xiě)入,存儲(chǔ)速度不如RAM。 (不過(guò)根據(jù)描述,還是可以改的,為此,這句話應(yīng)該改為“不能隨便寫(xiě)”。)
特點(diǎn):斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價(jià)格實(shí)惠。
ROM分類三類:PROM、EPROM和。
PROM:(P指)可編程ROM,可根據(jù)用戶需要,寫(xiě)入內(nèi)容,且只能寫(xiě)入一次,不能更改。
EPROM:PROM的升級(jí)版,可以多次編程和修改,只能用紫外光擦除。
:升級(jí)版,可多次編程修改,可電擦除。
閃光
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)。 除了具有電可擦除和可編程的性能(這是最好的優(yōu)點(diǎn))之外,它在斷電時(shí)不會(huì)丟失數(shù)據(jù)(這是最好的優(yōu)點(diǎn)),并且可以快速讀取數(shù)據(jù)(這是RAM的優(yōu)點(diǎn)) )。
特點(diǎn):斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價(jià)格實(shí)惠。
FLASH存儲(chǔ)器分為和。
的讀取速度比快,價(jià)格也比高。 應(yīng)用程序可以直接在 中運(yùn)行,無(wú)需將代碼讀入系統(tǒng) RAM。
的讀取速度比慢,價(jià)格比低,存儲(chǔ)顆粒密度比高。 它可以用作大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),但應(yīng)用程序不能直接在中運(yùn)行。
FLASH存儲(chǔ)是一種塊設(shè)備。 有塊(Block)和頁(yè)(Track)兩個(gè)概念。
互聯(lián)網(wǎng)資源摘要
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我明白。
1、近20年來(lái),嵌入式系統(tǒng)仍然采用ROM(EPROM)作為其存儲(chǔ)設(shè)備,但近年來(lái),F(xiàn)lash在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)完全取代了ROM(EPROM),用于存儲(chǔ)和操作系統(tǒng)的程序代碼或直接用作一個(gè)硬盤(pán)。
2、FLASH屬于廣義上的ROM。 FLASH與ROM最大的區(qū)別在于,F(xiàn)LASH按照磁道(或“頁(yè)”)進(jìn)行操作,以塊為單位進(jìn)行擦除,以字節(jié)為單位進(jìn)行操作和擦除。 這簡(jiǎn)化了電路,從而提高了數(shù)據(jù)密度并增加了成本。 目前M上的ROM一般都是FLASH。
3、和的關(guān)系和區(qū)別如上所述。 至于和iNand的關(guān)系,可以這樣理解,iNand、SD卡、MMC卡等,都是以為原材料,遵守一些合同,添加封裝和插座,配合使用的特點(diǎn),屬于類別。 有哪些常用的產(chǎn)品? 由于容量較小,日常生活中似乎很少見(jiàn)到。 它通常用在開(kāi)發(fā)板上作為啟動(dòng)介質(zhì),因?yàn)榇a程序可以直接在上運(yùn)行。
4. FLASH存儲(chǔ)是一種塊設(shè)備。 有塊(Block)和頁(yè)(Track)兩個(gè)概念。
5、傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)(HHD)是一種基于磁原理存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備。 如今的固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 似乎是基于 和 DRAM。
6、U盤(pán)也是FLASH類型的存儲(chǔ),應(yīng)該也是以NAND FLASH為主。
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